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NTMS4177P中文资料功率 MOSFET -30V -11.4A 19 mΩ 单 P 沟道 SO-8数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTMS4177P

功能描述

功率 MOSFET -30V -11.4A 19 mΩ 单 P 沟道 SO-8

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 14:59:00

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NTMS4177P规格书详情

描述 Description

This is a 30 V P-Channel Power MOSFET.

特性 Features

• Low RDS(on)
• Minimize Conduction Losses
• Low Capacitance
• Minimize Driver Losses
• Optimized Gate Charge
• Minimize Switching Losses
• SOIC-8 Surface Mount Package
• Saves Board Space

应用 Application

• Load Switches
• Notebook PCs
• Desktop PCs

技术参数

  • 制造商编号

    :NTMS4177P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :-11.4

  • PD Max (W)

    :1.52

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :19

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :12

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :36

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :29

  • Ciss Typ (pF)

    :3100

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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