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NTMS10P02数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTMS10P02

功能描述

单 P 沟道,增强模式功率 MOSFET,-20V,-10A,14mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 22:58:00

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NTMS10P02规格书详情

描述 Description

Power MOSFET −10 Amps, −20 Volts
P−Channel Enhancement−Mode
Single SOIC−8 Package

特性 Features

• Ultra Low RDS(on)
• Higher Efficiency Extending Battery Life
• Logic Level Gate Drive
• Miniature SO-8 Surface Mount Package
• Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery
• Avalanche Energy Specified
• SOIC-8 Mounting Information Provided

应用 Application

• Power Management in Portable and Battery-Powered Products
• Cellular and Cordless Telephones
• PCMCIA Cards

技术参数

  • 制造商编号

    :NTMS10P02

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.2

  • ID Max (A)

    :-10

  • PD Max (W)

    :0.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :20

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :14

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :12.2

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :48

  • Ciss Typ (pF)

    :3100

  • Package Type

    :SOIC-8

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