NTMS10P02中文资料单 P 沟道，增强模式功率 MOSFET，-20V，-10A，14mΩ数据手册ONSEMI规格书
NTMS10P02规格书详情
描述 Description
Power MOSFET −10 Amps, −20 Volts
P−Channel Enhancement−Mode
Single SOIC−8 Package
特性 Features
• Ultra Low RDS(on)
• Higher Efficiency Extending Battery Life
• Logic Level Gate Drive
• Miniature SO-8 Surface Mount Package
• Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery
• Avalanche Energy Specified
• SOIC-8 Mounting Information Provided
应用 Application
• Power Management in Portable and Battery-Powered Products
• Cellular and Cordless Telephones
• PCMCIA Cards
技术参数
- 制造商编号
：NTMS10P02
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：-1.2
- ID Max (A)
：-10
- PD Max (W)
：0.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：20
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：14
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：12.2
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：48
- Ciss Typ (pF)
：3100
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
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