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NTMS4503N中文资料功率 MOSFET,28V,14A,7mΩ,单 N 沟道,SO-8数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTMS4503N

参数属性

NTMS4503N 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 28V 14A 8SO

功能描述

功率 MOSFET,28V,14A,7mΩ,单 N 沟道,SO-8
MOSFET N-CH 28V 14A 8SO

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 14:54:00

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NTMS4503N规格书详情

描述 Description

这是一个 28 V N 沟道功率 MOSFET。

特性 Features

• Low RDS(on)
• Low Gate Charge

应用 Application

DC/DC Converters Motor Drives Synchronous Rectifier POL Buck Low Side

简介

NTMS4503N属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NTMS4503N晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NTMS4503NSR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    管件

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 描述:

    MOSFET N-CH 28V 14A 8SO

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