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NTMS4706N

Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N?묬hannel, SO??

文件:73.36 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMS4706NR2

Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N?묬hannel, SO??

文件:73.36 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMS4706NR2G

Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N?묬hannel, SO??

文件:73.36 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMS4706NR2G

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.004 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTMS4706N

Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N-Channel, SO-8 - for new designs use (NTMS4816N)

Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N-Channel, SO-8 • Low RDS(on)\n• Low Gate Charge\n• Standard SO-8 Single Package\n• Pb-Free Package is Available;

ONSEMI

安森美半导体

NTMS4706NR2G

Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N−Channel, SO−8

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTMS4706N

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 10.3A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTMS4706N供应商 更新时间2025-10-11 16:27:00