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NTMS4706NR2G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTMS4706NR2G

功能描述

Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N?묬hannel, SO??

文件大小

73.36 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-27 14:30:00

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产品属性

  • 型号:

    NTMS4706NR2G

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 10.3A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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