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NTMFS4841N	文件：151.04 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 57 A, Single N?묬hannel, SO??FL 文件：151.04 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4841N	文件：125.45 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30V 57A Single N-Channel, SO-8FL 文件：125.45 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4841NH	文件：144.49 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 59 A, Single N?묬hannel, SO??FL Power MOSFET 30 V, 59 A, Single N−Channel, SO−8FL Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • Low RG • These are Pb−Free Devices* Applications • Refer to Application Note AND8195/D 文件：144.49 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4841NHT1G	文件：144.49 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 59 A, Single N?묬hannel, SO??FL Power MOSFET 30 V, 59 A, Single N−Channel, SO−8FL Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • Low RG • These are Pb−Free Devices* Applications • Refer to Application Note AND8195/D 文件：144.49 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4841NHT3G	文件：144.49 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 59 A, Single N?묬hannel, SO??FL Power MOSFET 30 V, 59 A, Single N−Channel, SO−8FL Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • Low RG • These are Pb−Free Devices* Applications • Refer to Application Note AND8195/D 文件：144.49 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4841N_12	文件：125.45 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30V 57A Single N-Channel, SO-8FL 文件：125.45 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4841NT1G	文件：151.04 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 57 A, Single N?묬hannel, SO??FL 文件：151.04 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4841NT1G	文件：125.45 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30V 57A Single N-Channel, SO-8FL 文件：125.45 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4841NT3G	文件：125.45 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30V 57A Single N-Channel, SO-8FL 文件：125.45 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4841NT3G	文件：151.04 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 57 A, Single N?묬hannel, SO??FL 文件：151.04 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
57
PD Max (W)：
20.2
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
11.4
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
7
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
19.2
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
25.4
Ciss Typ (pF)：
1436
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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