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NTMFD4C86NT1G中文资料MOSFET 2N-CH 30V 8DFN数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTMFD4C86NT1G

功能描述

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-24 20:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :NTMFD4C86NT1G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • FET 功能

    :标准

  • 漏源电压(Vdss)

    :30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

    :11.3A,18.1A

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

    :5.4 毫欧 @ 30A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    :2.2V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

    :22.2nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :1153pF @ 15V

  • 功率 - 最大值

    :1.1W

  • 工作温度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :8-PowerTDFN

  • 供应商器件封装

    :8-DFN(5x6)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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