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NTMFD4C86NT1G_ONSEMI/安森美半导体_Dual N-Channel SO8FL科恒伟业二部
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号
:NTMFD4C86NT1G
- FET 功能
:标准
- 漏源电压(Vdss)
:30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
:11.3A,18.1A
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
:5.4 毫欧 @ 30A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
:2.2V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
:22.2nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
:1153pF @ 15V
- 功率 - 最大值
:1.1W
- 工作温度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装
:8-DFN(5x6)
供应商
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