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NTMFD4C86NT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C302NT1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SO-8 FL	ON 上传：深圳市壹芯创科技有限公司	ON
NTMFS5C426NT1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SO-8FL	ON 上传：深圳市天芯半导体科技有限公司	ON
NTMFS5C612NLT1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN-5	ON 上传：深圳市壹芯创科技有限公司	ON

技术参数

FET 功能：
标准
漏源电压（Vdss）：
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
11.3A，18.1A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
5.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
22.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
1153pF @ 15V
功率 - 最大值：
1.1W
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-PowerTDFN
供应商器件封装：
8-DFN（5x6）

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