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PGA280AIPWR	文件：1.30381 Mbytes Page：46 Pages	ProgrammableGainINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PH-A280	文件：132.87 Kbytes Page：2 Pages	50-150W,200to425VDCInputDC-DCConverters	TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司	TDK
PMF280UN	文件：90.1 Kbytes Page：12 Pages	N-channelUTrenchMOSultralowlevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMF280UN	文件：208.39 Kbytes Page：13 Pages	N-channelmTrenchMOS™ultralowlevelFET 1.1Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. 1.2Features 1.3Applications nSurfacemountedpackagenFootprint40smallerthanSOT23 nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltage. nDrivercircuitsnSwitchingin	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMGD280UN	文件：94.02 Kbytes Page：12 Pages	DualN-channelmTrenchMOSultralowlevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMGD280UN	文件：212.17 Kbytes Page：13 Pages	DualN-channelmTrenchMOS™ultralowlevelFET 1.1Description DualN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. 1.2Features 1.3Applications nSurfacemountedpackagenFootprint40smallerthanSOT23 nDualdevicenFastswitching nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltag	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN280ENEA	文件：264.93 Kbytes Page：14 Pages	100V,N-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT457(SC-74)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •TrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMR280UN	文件：89.07 Kbytes Page：12 Pages	N-channelmTrenchMOSultralowlevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMR280UN	文件：344.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSultralowlevelFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inultrasmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOStechnology. 1.2Featuresandbenefits Surfacemountedpackage Lowon-stateresistance Footprint63smallerthanSOT23 Lowthre	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMT280ENEA	文件：734.08 Kbytes Page：16 Pages	100VN-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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产品属性

产品编号：
NTM-280
制造商：
Bivar Inc.
类别：
光电器件 > LED - 垫片，支座
系列：
NTM
包装：
袋
颜色：
黑色
长度：
0.280"（7.11mm）
LED：
T1，T1 3/4
材料：
尼龙
描述：
LED MT SR VERT X 0.280\

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