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PMR280UN	文件：344.91 Kbytes Page：14 Pages	丝印：R5；Package：SOT416；N-channel TrenchMOS ultra low level FET 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in ultra small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features and benefits  Surface mounted package  Low on-state resistance  Footprint 63 smaller than SOT23  Low thre 文件：344.91 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMR280UN	文件：89.07 Kbytes Page：12 Pages	N-channel mTrenchMOS ultra low level FET 文件：89.07 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMR280UN	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS ultra low level FET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in ultra small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOS technology.	Nexperia 安世	Nexperia
PMT280ENEA	文件：734.08 Kbytes Page：16 Pages	100 V N-channel Trench MOSFET 文件：734.08 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMT280ENEAX	文件：734.08 Kbytes Page：16 Pages	100 V N-channel Trench MOSFET 文件：734.08 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV280ENEA	文件：269.95 Kbytes Page：15 Pages	100 V, N-channel Trench MOSFET 文件：269.95 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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