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PMT280ENEAX	文件：734.08 Kbytes Page：16 Pages	100 V N-channel Trench MOSFET 文件：734.08 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV280ENEA	文件：269.95 Kbytes Page：15 Pages	100 V, N-channel Trench MOSFET 文件：269.95 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV280ENEA	文件：731.77 Kbytes Page：16 Pages	100 V N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • Elect 文件：731.77 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV280ENEAR	文件：731.77 Kbytes Page：16 Pages	100 V N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • Elect 文件：731.77 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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