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PMV280ENEA	文件：731.77 Kbytes Page：16 Pages	100 V N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • Elect 文件：731.77 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV280ENEA	文件：269.95 Kbytes Page：15 Pages	丝印：EL%；Package：TO-236AB；100 V, N-channel Trench MOSFET 文件：269.95 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV280ENEA_V01	文件：731.77 Kbytes Page：16 Pages	100 V N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • Elect 文件：731.77 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV280ENEAR	文件：731.77 Kbytes Page：16 Pages	100 V N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • Elect 文件：731.77 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV280ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	100 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
100
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
385
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
432
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
1.1
QGD [typ] (nC)：
1.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
4.5
Ptot [max] (W)：
0.7
Qr [typ] (nC)：
11
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
190
Coss [typ] (pF)：
13
Release date：
2016-11-22

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