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PMR280UN中文资料安世数据手册PDF规格书

PMR280UN
厂商型号

PMR280UN

功能描述

N-channel TrenchMOS ultra low level FET

丝印标识

R5

封装外壳

SOT416

文件大小

344.91 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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PMR280UN规格书详情

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in ultra small

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOS technology.

1.2 Features and benefits

 Surface mounted package

 Low on-state resistance

 Footprint 63 smaller than SOT23

 Low threshold voltage

1.3 Applications

 Driver circuits  Switching in portable appliances

产品属性

  • 型号:

    PMR280UN

  • 功能描述:

    MOSFET UTRENCHMOS(TM) FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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