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PMF280UN	文件：208.39 Kbytes Page：13 Pages	N-channel mTrenchMOS™ ultra low level FET 1.1Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. 1.2Features 1.3Applications nSurfacemountedpackagenFootprint40smallerthanSOT23 nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltage. nDrivercircuitsnSwitchingin	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMF280UN	文件：90.1 Kbytes Page：12 Pages	N-channel UTrenchMOS ultra low level FET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMGD280UN	文件：94.02 Kbytes Page：12 Pages	DualN-channelmTrenchMOSultralowlevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMGD280UN	文件：212.17 Kbytes Page：13 Pages	DualN-channelmTrenchMOS™ultralowlevelFET 1.1Description DualN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. 1.2Features 1.3Applications nSurfacemountedpackagenFootprint40smallerthanSOT23 nDualdevicenFastswitching nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltag	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN280ENEA	文件：264.93 Kbytes Page：14 Pages	100V,N-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT457(SC-74)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •TrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMR280UN	文件：89.07 Kbytes Page：12 Pages	N-channelmTrenchMOSultralowlevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMR280UN	文件：344.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSultralowlevelFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inultrasmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOStechnology. 1.2Featuresandbenefits Surfacemountedpackage Lowon-stateresistance Footprint63smallerthanSOT23 Lowthre	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMT280ENEA	文件：734.08 Kbytes Page：16 Pages	100VN-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV280ENEA	文件：269.95 Kbytes Page：15 Pages	100V,N-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PT-LB280	文件：345.95 Kbytes Page：8 Pages	LCDProjectors	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic

详细参数

型号：
PMF280UN
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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