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PMGD280UN	文件：212.17 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-channel mTrenchMOS™ ultra low level FET 1.1 Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. 1.2 Features 1.3 Applications n Surface mounted package n Footprint 40 smaller than SOT23 n Dual device n Fast switching n Low on-state resistance n Low threshold voltag 文件：212.17 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMGD280UN	文件：94.02 Kbytes Page：12 Pages	Dual N-channel mTrenchMOS ultra low level FET 文件：94.02 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMGD280UN-TP	文件：1.64002 Mbytes Page：4 Pages	20V/-12V N-Channel P-Channel Enhancement Mode MOSFET Application © Notebook © Load Switch © Networking © Hand-held Instruments 文件：1.64002 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
PMGD280UN	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应晶体管	CBI 创基电子	CBI
PMGD280UN,115	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	Nexperia 安世	Nexperia

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深圳市益百分电子有限公司	PMGD280UN	恩XP	18+	SOT363	112000		询价

更多PMGD280UN供应商更新时间2025-12-10 23:00:00