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NTHD5902T1中文资料Power MOSFET Dual N−Channel ChipFET数据手册ONSEMI规格书
技术参数
- 型号:
NTHD5902T1
- 功能描述:
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET
- RoHS:
否
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列:
-
- 产品目录绘图:
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
- 包装:
Digi-Reel®
- 产品目录页面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
2022+ |
ChipFET? |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT23-8 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2023+ |
1206-8 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
ONSEMICONDU |
24+ |
原封装 |
66136 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
33250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON |
24+ |
1206-8 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
1206-8 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
1206-8 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
询价 | ||
SOP-8 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
ON |
22+ |
CHIPFET8 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 |