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NTHD2102P

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NTHD2102P

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NTHD2102P

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NTHD2102PT1G

ONCHIPFET8

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NTHD2102PT1G

ON/安森美SOT-183

10000

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NTHD2102PT1G

ON(安森美)标准封装

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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NTHD2102PT1G

onsemiChipFET?

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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NTHD2102PT1G

onsemiChipFET?

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NTHD2102PT1G

ON/安森美SOT-23-8

32169

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原厂渠道 可含税出货，支持一站式配单

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NTHD2102PT1G

ONSOT183

4365

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全新原厂原装产品、公司现货销售

深圳市振宏微科技有限公司

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NTHD2102PT1G

ONSNTHD2102PT1G

13528

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ON(安森美)N/A

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NTHD2102PT1G价格：￥1.0400品牌：ON

生产厂家品牌为ON的NTHD2102PT1G多少钱，想知道NTHD2102PT1G价格是多少？参考价：￥1.0400。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NTHD2102PT1G批发价格及采购报价，NTHD2102PT1G销售排行榜及行情走势，NTHD2102PT1G报价。

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NTHD2102P制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −8.0 V, −4.6 A Dual P−Channel ChipFET

NTHD2102PT1功能描述:MOSFET -8V -4.6A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTHD2102PT1G功能描述:MOSFET -8V -4.6A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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