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NTH4L045N065SC1	文件：325.79 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide SiC MOSFET - 33 mohm, 650V, M2, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=33m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=162pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Fr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L045N065SC1	文件：350.4 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 33mohm, 650V, M2, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=33m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=162pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Fr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L045N065SC1_V01	文件：350.4 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 33mohm, 650V, M2, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=33m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=162pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Fr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVH4L045N065SC1	文件：366.09 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel,TO247-4L650V,33m,55A Features •Typ.RDS(on)=33m@VGS=18VTyp.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=162pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisPb−FreeandisRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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