NTH4L045N065SC1_V01资料使用说明书行情报价-114ic电子网

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
NTH4L045N065SC1_V01	文件：350.4 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 33mohm, 650V, M2, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 33 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 105 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 162 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Fr 文件：350.4 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHL040N65S3F	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	ON/安森美上传：深圳市周芯芯半导体有限公司	ON/安森美
NTJD4001NT1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-363	ON/安森美上传：深圳市琅玥科技有限公司	ON/安森美
NTJD4105CT1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-363	ON/安森美上传：深圳市琅玥科技有限公司	ON/安森美
NTJD4105CT2G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23-6	ON/安森美上传：深圳市琅玥科技有限公司	ON/安森美

更多NTH4L045N065SC1_V01供应商更新时间2025-11-27 15:01:00