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NTH4L045N065SC1_V01	文件：350.4 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 33mohm, 650V, M2, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=33m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=162pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Fr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTH4L045N065SC1_V01

文件：350.4 Kbytes

Page：8 Pages

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 33mohm, 650V, M2, TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=33m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=162pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Fr

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