NTH4L028N170M1.中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NTH4L028N170M1.
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET, M1, TO-247-4L 1700 V, 28 mOhm
文件大小	253.15 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-11-26 14:53:00
人工找货	NTH4L028N170M1.价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 28 m @ VGS = 20 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 200 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 200 pF)

• 100% Avalanche Tested

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

• UPS

• DC/DC Converter

• Boost Converter

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