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NTH4L023N065M3S	文件：477.82 Kbytes Page：9 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 23mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L Features TypicalRDS(on)=23m@VGS=18V UltraLowGateCharge(QG(tot)=69nC) HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=153pF) 100AvalancheTested ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Appli	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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