NTH4L023N065M3S中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NTH4L023N065M3S
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 23mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
文件大小	477.82 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-10-7 23:00:00
人工找货	NTH4L023N065M3S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

 Typical RDS(on) = 23 m @ VGS = 18 V

 Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 69 nC)

 High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 153 pF)

 100 Avalanche Tested

 This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Applications

 SMPS, Solar Inverters, UPS, Energy Storages, EV Charging

Infrastructure

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