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NTGD3149CT1G

N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:607.52 Kbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTGD3149CT1G

Power MOSFET Complementary, 20 V, 3.5/??.7 A, TSOP?? Dual

文件:126.24 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS5120PT1G

ON/安森美

ON/安森美

NTHL040N65S3F

ON/安森美
TO-247

ON/安森美

NTJD4001NT1G

ON/安森美
SOT-363

ON/安森美

详细参数

  • 型号:

    NTGD3149CT1G

  • 功能描述:

    MOSFET COMP TSOP6 20V 3A TR

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT23-6
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更多NTGD3149CT1G供应商 更新时间2025-10-5 14:14:00