首页 >NTGS3130N>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

NTGS3130N

Power MOSFET 20 V, 5.6 A Single N-Channel, TSOP-6

文件:93.12 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS3130N

Power MOSFET

文件:120.6 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS3130NT1G

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching

文件:475.8 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTGS3130N_14

Power MOSFET

文件:120.6 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS3130NT1G

Power MOSFET 20 V, 5.6 A Single N-Channel, TSOP-6

文件:93.12 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS3130NT1G

Power MOSFET

文件:120.6 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS3130N

单 N 沟道,功率 MOSFET,20V,5.6A,24mΩ

Power MOSFET 20 V, 5.6 A, Single N-Channel, TSOP-6 • Leading Edge Trench Technology for LowOn Resistance\n• Small Size (3 x 2.75 mm) TSOP-6 Package;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    20

  • VGS Max (V):

    8

  • VGS(th) Max (V):

    1.4

  • ID Max (A):

    5.6

  • PD Max (W):

    1.1

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    32

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    24

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    12

  • Ciss Typ (pF):

    935

  • Package Type:

    TSOP-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
23+
SOT-23-6
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
ON/安森美
2022+
SOT-23-6
3000
原厂代理 终端免费提供样品
询价
ON
2022+
TSOP-6
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
ON/安森美
20+
SOT-23-6
300000
现货很近!原厂很远!只做原装
询价
ON
SOT-23-6
21+
50000
原装正品现货 支持BOM配单!
询价
ONSEMI/安森美
24+
SOT-23-6
60000
询价
ON
24+/25+
497
原装正品现货库存价优
询价
ON
2016+
SOT163
6000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
ON
24+
SOT163
5000
只做原装公司现货
询价
ON
1716+
?
7500
只做原装进口,假一罚十
询价
更多NTGS3130N供应商 更新时间2026-1-24 11:00:00