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NTGS3136P

Power MOSFET -20 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6

文件:119.49 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS3136P

Power MOSFET

文件:74.06 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS3136P_15

Power MOSFET

文件:74.06 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS3136PT1G

Power MOSFET

文件:74.06 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS3136PT1G

Power MOSFET -20 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6

文件:119.49 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS3136PT1G

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.84693 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTGS3136P

Single P-Channel Power MOSFET -20V, -5.8A, 33mΩ

-20V, -5.8A, Single P-Channel, TSOP-6 • Low RDS(on) in TSOP-6 Package\n• 1.8 V Gate Rating\n• Fast Switching\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -20

  • VGS Max (V):

    8

  • VGS(th) Max (V):

    1

  • ID Max (A):

    5.1

  • PD Max (W):

    1.25

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    32

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    25

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    32

  • Ciss Typ (pF):

    1901

  • Package Type:

    TSOP-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON(安森美)
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NA
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标准封装
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标准封装
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更多NTGS3136P供应商 更新时间2025-10-4 10:45:00