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NTGD4169FT1G	文件：136.41 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, 2.9 A, N?묬hannel with Schottky Barrier Diode, TSOP?? 文件：136.41 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
NTGD4169FT1G
功能描述：
MOSFET FETKY 30V 2.6A 90MO TSOP6
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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