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NTGD4167C	文件：135.98 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET Complementary, 30 V, 2.9/??.2 A, TSOP?? Dual 文件：135.98 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTGD4167CT1G	文件：135.98 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET Complementary, 30 V, 2.9/??.2 A, TSOP?? Dual 文件：135.98 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTGD4169F	文件：136.41 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, 2.9 A, N?묬hannel with Schottky Barrier Diode, TSOP?? 文件：136.41 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTGD4169FT1G	文件：136.41 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, 2.9 A, N?묬hannel with Schottky Barrier Diode, TSOP?? 文件：136.41 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTGF3123F	文件：1.9268 Mbytes Page：20 Pages	High Efficiency DC-DC Converters 文件：1.9268 Mbytes 页数：20 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTGF3123PT1G	文件：147.56 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET Single N?묬hannel 文件：147.56 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTGS1135P	文件：110.04 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET ?? V, ??.8 A, Single P?묬hannel, TSOP?? 文件：110.04 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTGS1135PT1G	文件：110.04 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET ?? V, ??.8 A, Single P?묬hannel, TSOP?? 文件：110.04 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTGS3130N	文件：93.12 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 20 V, 5.6 A Single N-Channel, TSOP-6 文件：93.12 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTGS3130N	文件：120.6 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：120.6 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Level Shift
V(BR)DSS Min (V)：
-8
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1.2
ID Max (A)：
3.3
PD Max (W)：
0.83
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
55
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
40
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
3.7
Package Type：
SC-74

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	NTGS3443T1	ON	23+	TSOP-6	750	专营高频管模块,全新原装!	询价
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