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NTGD4167C

Power MOSFET Complementary, 30 V, 2.9/??.2 A, TSOP?? Dual

文件:135.98 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGD4167CT1G

N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:607.51 Kbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTGD4167CT1G

Power MOSFET Complementary, 30 V, 2.9/??.2 A, TSOP?? Dual

文件:135.98 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGD4167C

互补,功率 MOSFET,30V,2.6A,90mΩ

Power MOSFET, Complementary, 30V, +2.9/-2.2 A, TSOP-6 Dual • Complementary N−Channel and P−Channel MOSFET\n• Small Size (3 x 3 mm) Dual TSOP-6 Package\n• Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance\n• Reduced Gate Charge to Improve Switching Response\n• Idependently Connected Devices to Provides Design Flexibility;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    Complementary

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    ±30

  • VGS Max (V):

    12

  • VGS(th) Max (V):

    1.5

  • ID Max (A):

    2.6

  • PD Max (W):

    0.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    N

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    N

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    13.2

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    3.7

  • Ciss Typ (pF):

    295

  • Package Type:

    TSOP-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT23-6
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更多NTGD4167C供应商 更新时间2025-10-6 14:10:00