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NTGD4167C中文资料互补,功率 MOSFET,30V,2.6A,90mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTGD4167C

功能描述

互补,功率 MOSFET,30V,2.6A,90mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 15:22:00

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NTGD4167C规格书详情

描述 Description

Power MOSFET, Complementary, 30V, +2.9/-2.2 A, TSOP-6 Dual

特性 Features

• Complementary N−Channel and P−Channel MOSFET
• Small Size (3 x 3 mm) Dual TSOP-6 Package
• Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance
• Reduced Gate Charge to Improve Switching Response
• Idependently Connected Devices to Provides Design Flexibility

应用 Application

• DC-DC Conversion Circuits
• Load/Power Switching with Level Shift
• Cell Phone, PMP, DSC, GPS, Portable Video Games, PC, Printers, Perepherals,DTV, Set Top Box, and other computing and digital consumer products

技术参数

  • 制造商编号

    :NTGD4167C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :Complementary

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :±30

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :2.6

  • PD Max (W)

    :0.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :N: 125

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :N:90

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :13.2

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :3.7

  • Ciss Typ (pF)

    :295

  • Package Type

    :TSOP-6

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