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中天科工半导体(深圳)有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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深圳市星宇佳科技有限公司

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深圳市坤融电子科技有限公司

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深圳市振鑫微电子科技有限公司

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深圳市汇莱威科技有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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深圳市金华微盛电子有限公司

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深圳市宝隆宏业科技有限公司

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深圳宝隆芯业科技有限公司

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公司只做原装,支持订货,诚信经营

深圳市英瑞芯科技有限公司

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NTF3055-100T1G价格:¥1.0634品牌:ONSemi

生产厂家品牌为ONSemi的NTF3055-100T1G多少钱,想知道NTF3055-100T1G价格是多少?参考价:¥1.0634。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,NTF3055-100T1G批发价格及采购报价,NTF3055-100T1G销售排行榜及行情走势,NTF3055-100T1G报价。

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NTF3055-100T1G天芯主营-12年渠道积累-只有原装-只有正品

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NTF3055L108SOT223深圳市鸿达丰泰科技有限公司----价格绝对优势,优势渠道,质量保证!

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NTF3055-100制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N−Channel

NTF3055-100T1功能描述:MOSFET 60V 3A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTF3055-100T1G功能描述:MOSFET 60V 3A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTF3055-100T3功能描述:MOSFET 60V 3A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTF3055-100T3G功能描述:MOSFET 60V 3A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTF3055-100T3LF功能描述:MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

NTF3055-160制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223

NTF3055-160T1功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

NTF3055-160T3制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk

NTF3055-160T3LF功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件