标准包装 1，000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 -
规格
FET类型 N沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 3A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 10V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 110毫欧@1.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 4V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 22nC@10V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 455pF@25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
工作温度 -55°C~175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-223（TO-261）
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
深圳市天芯半导体科技有限公司0755-8272566017727837185（微信75056055）QQ：177691499
