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NTF3055-100T1G	文件：1.94103 Mbytes Page：5 Pages	丝印：3055；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES 60V, 4A, Rps(on) = 85mQ @Vgs = 10V. Rpsion) = 100mQ @Vgs = 4.5V. High dense cell design for extremely low Rps(on)- Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package. 文件：1.94103 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
NTF3055L108T1G	文件：1.94154 Mbytes Page：5 Pages	丝印：3055；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES 60V, 4A, Rps(on) = 85mQ @Vgs = 10V. Rpsion) = 100mQ @Vgs = 4.5V. High dense cell design for extremely low Rps(on)- Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package. 文件：1.94154 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
NTF3055-100	文件：70.73 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N?묬hannel 文件：70.73 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF3055-100	文件：80.42 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：80.42 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF3055-100_16	文件：80.42 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：80.42 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF3055-100T1	文件：70.73 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N?묬hannel 文件：70.73 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF3055-100T1G	文件：113.78 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 3.0 Amps, 60 Volts 文件：113.78 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF3055-100T1G	文件：1.01057 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.01057 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTF3055-100T1G	文件：80.42 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：80.42 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF3055-100T3	文件：70.73 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N?묬hannel 文件：70.73 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTF3055
功能描述：
MOSFET 60V 3A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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