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NTDV18N06L中文资料Power MOSFET 18 A, 60 V, Logic Level N.Channel DPAK数据手册ONSEMI规格书
技术参数
- 型号:
NTDV18N06L
- 功能描述:
MOSFET NFET DPAK 60V 18A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO252 |
7350 |
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询价 | ||
ON |
18+ |
TO-252 |
100 |
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ON Semiconductor |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
30000 |
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询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DPAK-3 |
986966 |
国产 |
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ON/安森美 |
25+ |
TO-252 |
880000 |
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ON/安森美 |
2450+ |
TO-252 |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
9000 |
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询价 | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
100 |
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