NTD60N02R数据手册ONSEMI中文资料规格书
NTD60N02R规格书详情
描述 Description
功率 MOSFET，62 A，25 V，N 沟道，DPAK
特性 Features
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss
• Low Ciss to Minimize Driver Loss
• Low Gate Charge
• Optimized for High Side Switching Requirements in High Efficiency DC-DC Converters
• Pb-Free Packages are Available
技术参数
- 型号：
NTD60N02R
- 功能描述：
MOSFET 25V 62A N-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
4600 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON |
21+ |
SOT-252 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
ON SEMI |
0409 |
299 |
公司优势库存 热卖中! |
询价 | |||
ON |
24+ |
TO-263 |
27500 |
原装正品,价格最低! |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-252 |
2659 |
原装正品!公司现货!欢迎来电洽谈! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT-252 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO251 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
2003 |
TO252 |
370 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
询价 | ||
ON |
24+ |
DPAK4LEADSingleG |
8866 |
询价 |
