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NTD5802N数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTD5802N

功能描述

单 N 沟道,功率 MOSFET,40V,101A,4.4mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 18:00:00

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NTD5802N规格书详情

描述 Description

Power MOSFET 40V 101A 4.4 mOhm Single N-Channel DPAK

特性 Features

• Low RDS(on)
• Minimize Conduction Losses
• Low Capacitance
• Minimizes Driver Losses
• Optimized Gate Charge
• Minimizes Switching Losses
• MSL 1/260°C
• 100% Avalanche Tested
• RoHS Compliant

应用 Application

• CPU Power Delivery
• DC−DC Converters
• Motor Driver

技术参数

  • 制造商编号

    :NTD5802N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3.5

  • ID Max (A)

    :101

  • PD Max (W)

    :93.75

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :7.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :75

  • Ciss Typ (pF)

    :5300

  • Package Type

    :DPAK-3

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