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NTD4970N中文资料单 N 沟道,功率 MOSFET,30V,36A,11mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTD4970N

功能描述

单 N 沟道,功率 MOSFET,30V,36A,11mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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NTD4970N规格书详情

描述 Description

Power MOSFET, 30 V, 36 A, Single N Channel, DPAK/IPAK

特性 Features

• Optimized Gate Charge
• Improve Signal Quality and Minimize Switching Losses
• Low Capacitance
• Minimize Driver Loss
• Low RDS(on)
• Improve Efficiency
• RoHS Compliant
• Three Package Variations for Design Flexibility

应用 Application

• High Side Synchronous DC-DC Converters
• PC and Game Console

技术参数

  • 制造商编号

    :NTD4970N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :36

  • PD Max (W)

    :24.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :21

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :11

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :15.8

  • Ciss Typ (pF)

    :774

  • Package Type

    :IPAK-3

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