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NTD4909N数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTD4909N

功能描述

单 N 沟道功率 MOSFET 30V,41A,8mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 22:58:00

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NTD4909N规格书详情

描述 Description

30 V, 41 A, Single N Channel, DPAK/IPAK

特性 Features

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
• Improve System Efficiency
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses
• Improve Switching Performance
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
• Improve Switching Performance

应用 Application

• CPU Power Delivery
• DC-DC Converters
• Desktop PC, Game Consoles, other Computing Products

技术参数

  • 制造商编号

    :NTD4909N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.2

  • ID Max (A)

    :41

  • PD Max (W)

    :25.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :12

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :9

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :17.5

  • Ciss Typ (pF)

    :1314

  • Package Type

    :DPAK-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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