NTD5862N中文资料单 N 沟道功率 MOSFET 60V,98A,5.7mΩ数据手册ONSEMI规格书
NTD5862N规格书详情
描述 Description
Power MOSFET Single N Channel, 60V,98A, DPAK/IPAK
特性 Features
• Low RDS(on)
• Minimal conduction losses
• High current capability
• Robust load performance
• 100% avalanche tested
• Voltage overstress safeguard
• RoHS Compliant
应用 Application
• LED Backlighting
• DC-DC Converter
• Motor Driver
• UPS Inverter
技术参数
- 制造商编号
:NTD5862N
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:60
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:98
- PD Max (W)
:115
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:5.7
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:82
- Ciss Typ (pF)
:5050
- Package Type
:DPAK-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
26265 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO252 |
7350 |
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ON |
2016+ |
SOT252 |
2600 |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-251 |
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ON/安森美 |
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TO-252 |
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ON/安森美 |
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ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-252 |
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ON(安森美) |
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TO-252-3 |
18981 |
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ON |
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TO-252 |
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ON/安森美 |
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TO-252 |
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询价 |