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NTD5862N中文资料单 N 沟道功率 MOSFET 60V,98A,5.7mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTD5862N

功能描述

单 N 沟道功率 MOSFET 60V,98A,5.7mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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NTD5862N规格书详情

描述 Description

Power MOSFET Single N Channel, 60V,98A, DPAK/IPAK

特性 Features

• Low RDS(on)
• Minimal conduction losses
• High current capability
• Robust load performance
• 100% avalanche tested
• Voltage overstress safeguard
• RoHS Compliant

应用 Application

• LED Backlighting
• DC-DC Converter
• Motor Driver
• UPS Inverter

技术参数

  • 制造商编号

    :NTD5862N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :98

  • PD Max (W)

    :115

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :5.7

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :82

  • Ciss Typ (pF)

    :5050

  • Package Type

    :DPAK-3

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