NTD6416AN中文资料单 N 沟道功率 MOSFET 100V，17A，81mΩ数据手册ONSEMI规格书
NTD6416AN规格书详情
描述 Description
Single N-Channel 100 V Power MOSFET
特性 Features
• Low RDS(on)
• Minimize conduction losses
• High current capability
• Robust load performance
• 100% Avalanche tested
• Voltage overstress safeguard
• RoHS Compliant
应用 Application
• Motor Control
• UPS Inverter
技术参数
- 制造商编号
：NTD6416AN
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：17
- PD Max (W)
：71
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：81
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：20
- Ciss Typ (pF)
：620
- Package Type
：DPAK-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
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