NTD6600N中文资料功率 MOSFET数据手册ONSEMI规格书
NTD6600N规格书详情
描述 Description
功率 MOSFET，100 V，12 A， N 沟道，逻辑电平， DPAK
特性 Features
• Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Avalanche Energy Specified
• Logic Level
应用 Application
• PWM Motor Controls
• Power Supplies
• Converters
技术参数
- 型号：
NTD6600N
- 功能描述：
MOSFET 100V 12A N-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
5450 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO252 |
25000 |
询价 | |||
ON |
12+ |
TO-252 |
300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-252 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON |
2025+ |
TO-252-3 |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO252 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON SEMICONDUCTOR |
2023+ |
SMD |
26250 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 |
