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NTD6600N-1	文件：316.98 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 146mΩ(Max)@VGS= 5V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：316.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD6600N-1	文件：69.79 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 100 V, 12 A, N?묬hannel, Logic Level DPAK 文件：69.79 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD6600N-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET 100 V, 12 A, N−Channel, Logic Level DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD6600N-1G	文件：69.79 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 100 V, 12 A, N?묬hannel, Logic Level DPAK 文件：69.79 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTD6600N-1
制造商：
ONSEMI
制造商全称：
ON Semiconductor
功能描述：
Power MOSFET 100 V, 12 A, N−Channel, Logic Level DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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京海半导体(深圳)有限公司	NTD6600N-1G	VB	25+	TO251	10000	原装现货假一罚十	询价
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深圳和润天下电子科技有限公司	NTD6600N-1G	ON/安森美	22+	IPAK	99461		询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	NTD6600N-1G	onsemi	25+	I-PAK	18746	样件支持,可原厂排单订货!	询价
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更多NTD6600N-1供应商更新时间2026-2-6 15:44:00

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