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NTD4965NT4G

Power MOSFET 30 V, 68 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK

文件:118.08 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD4965NT4G

Power MOSFET

文件:113.44 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTE4965

Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Bidirectional

Description: The NTE4900 series of silicon Transient Suppressors designed to protect voltage sensitive components from high energy voltage transients. Transient over voltage suppressor devices have become very important as a consequence of their high surge capability, extremely fast response time

文件:26.12 Kbytes 页数:2 Pages

NTE

NTTFS4965NF

Power MOSFET

文件:128.74 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTTFS4965NFTAG

Power MOSFET

文件:128.74 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTD4965NT

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTD4965NT供应商 更新时间2026-3-15 14:13:00