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NTD32N06-1G	文件：71.84 Kbytes Page：8 Pages	32 Amps, 60 Volts, N?묬hannel DPAK 文件：71.84 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD32N06-1G	文件：960.08 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：960.08 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD32N06-1	文件：278.73 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 26mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：278.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD32N06-1	文件：71.84 Kbytes Page：8 Pages	32 Amps, 60 Volts, N?묬hannel DPAK 文件：71.84 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTD32N06-1G
功能描述：
MOSFET 60V 32A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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