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NSVMMBTH10LT1G分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NSVMMBTH10LT1G |
| 参数属性 | NSVMMBTH10LT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23 |
| 功能描述 | VHF/UHF Transistor |
| 文件大小 |
97.09 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-4-30 18:30:00 |
NSVMMBTH10LT1G规格书详情
VHF/UHF Transistor
NPN Silicon
Features
• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements;
AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
NSVMMBTH10LT1G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。安森美半导体公司制造生产的NSVMMBTH10LT1G晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号：
NSVMMBTH10LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
- 频率 - 跃迁：
650MHz
- 功率 - 最大值：
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
SOT233 |
6000 |
询价 | |||
onsemi |
23+ |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
ON |
23+ |
原厂原封 |
18000 |
订货1周 原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
SOT-23 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
询价 | |||
onsemi(安森美) |
23+ |
SOT-23-3 |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
33250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
onsemi |
23/22+ |
NA |
9000 |
代理渠道.实单必成 |
询价 | ||
ON |
22+ |
SOT23 |
100 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON/安森美 |
SOT-23 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
SOT-23.贴片 |
236148 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 |
