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NSTJD1155LT1G数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF
NSTJD1155LT1G规格书详情
简介
NSTJD1155LT1G属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的NSTJD1155LT1G晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
：NSTJD1155LT1G
- 生产厂家
：ONSEMI
- FET 功能
：-
- 漏源电压（Vdss）
：-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：-
- 功率 - 最大值
：-
- 工作温度
：-
- 安装类型
：-
- 封装/外壳
：-
- 供应商器件封装
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
12663 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ON |
20+ |
SOT23-3 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ONSEMI |
SOT23-3 |
35500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
NIC |
22+ |
51X138 |
46637 |
绝对原装正品现货,支持开13个点税 |
询价 | ||
NIC |
23+ |
51X98 |
36600 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-23-3 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 |
