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NST848BF3T5G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

NST848BF3T5G

参数属性

NST848BF3T5G 封装/外壳为SOT-1123;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT1123

功能描述

NPN Bipolar Transistor
TRANS NPN 30V 0.1A SOT1123

封装外壳

SOT-1123

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 17:12:00

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NST848BF3T5G规格书详情

描述 Description

The NPN Bipolar Transistor is a spin-off of our popular SOT-23/SOT-323/SOT-563 three-leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-1123 surface mount package. This device is ideal for low-power surface mount applications, where board space is at a premium.

简介

NST848BF3T5G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NST848BF3T5G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NST848BF3T5G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.6

  • IC Cont. (A)

    :0.1

  • VCEO Min (V)

    :30

  • VCBO (V)

    :30

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :0.9

  • VBE(on) (V)

    :0.77

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :450

  • fT Min (MHz)

    :100

  • PTM Max (W)

    :0.347

  • Package Type

    :SOT-1123-3

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