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NST847BPDP6T5G中文资料45 V,100 mA,NPN PNP 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NST847BPDP6T5G

功能描述

45 V,100 mA,NPN PNP 双极功率晶体管

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:42:00

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NST847BPDP6T5G规格书详情

描述 Description

The NPN PNP Bipolar Transistor is a spinoff of our popular SOT23/SOT323/SOT563 three leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT963 six leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.

特性 Features

• hFE 200-450
• Low VCE(sat),
• Simplifies Circuit Design
• Reduces Board Space
• Reduces Component Count
• This is a Pb-Free Device

应用 Application

• Complementary General Purpose Transistors

技术参数

  • 制造商编号

    :NST847BPDP6T5G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :Complementary

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.6 (NPN)0.7 (PNP)

  • IC Cont. (A)

    :0.1

  • VCEO Min (V)

    :45

  • VCBO (V)

    :50

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :0.9

  • VBE(on) (V)

    :0.77

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :450

  • fT Min (MHz)

    :100

  • PTM Max (W)

    :0.42

  • Package Type

    :SOT-963

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