首页>NST846BF3T5G>规格书详情

NST846BF3T5G中文资料NPN Bipolar Transistor数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

NST846BF3T5G

参数属性

NST846BF3T5G 封装/外壳为SOT-1123;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 65V 0.1A SOT1123

功能描述

NPN Bipolar Transistor
TRANS NPN 65V 0.1A SOT1123

封装外壳

SOT-1123

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-22 15:34:00

人工找货

NST846BF3T5G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

NST846BF3T5G规格书详情

描述 Description

The NPN Bipolar Transistor is a spin-off of our popular SOT-23/SOT-323/SOT-563 three-leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-1123 surface mount package. This device is ideal for low-power surface mount applications, where board space is at a premium.

简介

NST846BF3T5G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NST846BF3T5G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NST846BF3T5G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.6

  • IC Cont. (A)

    :0.1

  • VCEO Min (V)

    :65

  • VCBO (V)

    :80

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :0.9

  • VBE(on) (V)

    :0.77

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :450

  • fT Min (MHz)

    :100

  • PTM Max (W)

    :0.347

  • Package Type

    :SOT-1123-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
16+
SOT-923
100
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ONS
24+
8000
询价
ON(安森美)
25+
SOT-1123-3
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
ON/安森美
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
ON/安森美
23+
SMD
7000
询价
ON Semiconductor
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
ON
24+/25+
170
原装正品现货库存价优
询价
onsemi
25+
SOT-1123
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价