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NST857BF3T5G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

NST857BF3T5G

参数属性

NST857BF3T5G 封装/外壳为SOT-1123;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT1123

功能描述

PNP Bipolar Transistor
TRANS PNP 45V 0.1A SOT1123

封装外壳

SOT-1123

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 17:22:00

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NST857BF3T5G规格书详情

描述 Description

The PNP Bipolar Transistor is a spin-off of our popular SOT23, SOT323, SOT563, SOT-963 three-leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT 1123 surface mount package. This device is ideal for low power surface mount applications, where board space is at a premium.

特性 Features

• hFE, 220-475
• Low VCE(sat),
• Reduces Board Space
• This is a Pb-Free Device

应用 Application

• PNP General Purpose Transistor

简介

NST857BF3T5G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NST857BF3T5G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NST857BF3T5G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.7

  • IC Cont. (A)

    :0.1

  • VCEO Min (V)

    :45

  • VCBO (V)

    :50

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :0.9

  • VBE(on) (V)

    :0.82

  • hFE Min

    :220

  • hFE Max

    :475

  • fT Min (MHz)

    :100

  • PTM Max (W)

    :0.36

  • Package Type

    :SOT-1123-3

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